温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@10V,17A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@50V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 专有新型平面技术
- RDS(ON) 典型值：VGS = 10 V 时为 30 mΩ
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 汽车领域
- 直流电机控制