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PTP02N03N
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,24A | |
| 耗散功率(Pd) | 120W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 460pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 专有新型沟槽技术
- RDS(ON)，典型值 = 2.6 mΩ @ VGS = 10 V
- 低栅极电荷，可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 高效 DC/DC 转换器
- 电机桥接开关
- 或门 FET/负载开关