温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
KF10N60F-U/PSF
N沟道MOS场效应晶体管
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 这种平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和出色的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
- 品牌名称
- KEC
- 商品型号
- KF10N60F-U/PSF
- 商品编号
- C5274815
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 590mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
商品概述
这款平面条形 MOSFET 具有更优的特性，如开关时间快、导通电阻低、栅极电荷低以及出色的雪崩特性。它主要适用于有源功率因数校正和开关模式电源。
商品特性
- 漏源极击穿电压（VDSS） = 600 V，漏极电流（ID） = 10 A
- 漏源导通电阻：RDS(ON)（最大值） = 0.73 Ω @ 栅源电压（VGS） = 10 V
- 栅极电荷（典型值）Qg(typ.) = 29.5 nC
应用领域
- 有源功率因数校正-开关模式电源