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LMUN5113T1G
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 310mW | |
| 输入电阻 | 47kΩ |
商品概述
这款全新的数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT（偏置电阻晶体管）包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单晶体管，即一个串联基极电阻和一个基极 - 发射极电阻。BRT 通过将这些分立元件集成到单个器件中，消除了这些元件。使用 BRT 可以降低系统成本并节省电路板空间。该器件采用 SC - 70/SOT - 323 封装，专为低功耗表面贴装应用而设计。
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- SC - 70/SOT - 323 封装可采用波峰焊或回流焊。改进的鸥翼式引脚在焊接过程中可吸收热应力，消除芯片受损的可能性。
- 产品材料符合 RoHS 要求。
- S 前缀适用于汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。