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LMUN5235DW1T1G实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LMUN5235DW1T1G

双偏置电阻晶体管

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描述
BRT(偏置电阻晶体管)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。这些数字晶体管旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。两个BRT器件封装在SOT-363封装中,适用于对电路板空间要求较高的低功率表面贴装应用。
商品型号
LMUN5235DW1T1G
商品编号
C5273169
商品封装
SC-88​
包装方式
编带
商品毛重
0.027967克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录数字晶体管
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
耗散功率(Pd)250mW
直流电流增益(hFE)80@5.0mA,10V
属性参数值
射基极击穿电压(Vebo)6V
输出电压(VO(on))200mV
输入电阻2.86kΩ
电阻比率0.47
工作温度-55℃~+150℃

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 10 个)
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