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FDV301N(UMW)
1个N沟道 耐压:20V 电流:6A
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- 描述
- 特性：采用专有、高单元密度DMOS技术制造。 VDS(V) = 20V。 ID = 6A (VGS = 10V)。 RDS(ON) < 28mΩ (VGS = 4.5V)。 RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 2.5V)。 RDS(ON) < 50mΩ (VGS = 1.8V)。应用：DC/DC转换器。 便携式应用负载开关
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- FDV301N(UMW)
- 商品编号
- C5271193
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@4.5V；50mΩ@1.8V；42mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 865pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个3000个/圆盘
总价金额：
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