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IRLML2803TR(UMW)
N沟道 耐压:30V 电流:1.2A
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，提供出色的导通电阻和低栅极电荷。适用于作为负载开关或在PWM应用中使用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLML2803TR(UMW)
- 商品编号
- C5271197
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 250mΩ@10V；400mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 540mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.3nC@0.91A | |
| 输入电容(Ciss) | 85pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 34pF |
商品特性
- 静电放电保护：1000V
- 适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用，前缀为S；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力