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IRLML0030TR(UMW)
30V N沟道MOSFET
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- 描述
- 使用先进的沟槽技术，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻。该器件适用于用作负载开关或PWM应用。
- 品牌名称
- UMW(友台半导体)
- 商品型号
- IRLML0030TR(UMW)
- 商品编号
- C5271200
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.6nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 382pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 输出电容(Coss) | 84pF |
商品概述
IRLML0030TR采用先进沟槽技术，提供优异的导通电阻Rds(on)和低栅极电荷。该器件适合用作负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压Vds = 30V
- 在栅源电压Vgs = 10V时，导通电阻Rds(on) < 27mΩ
- 在栅源电压Vgs = 4.5V时，导通电阻Rds(on) < 40mΩ