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MS1N450HGC9

MS1N450HGC9 超高压N 沟道 MOSFET 4500V 1A Rds (on) 19Ω TO‑247‑C9 高压功率场效应管

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描述
MS1N450HGC9 超高压 N 沟道功率 MOSFET,TO‑247‑C9 封装,内置快速体二极管,栅极电荷最小化,本征电容极低,高速开关性能优异,专为高压电源、电容放电、脉冲电路、激光及 X 射线发生系统等极端高压应用设计。
商品型号
MS1N450HGC9
商品编号
C55827287
商品封装
TO-247-C9​
包装方式
管装
商品毛重
9.003333克(g)

商品参数

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参数完善中

数据手册PDF