5HB06N8
5HB06N8 H桥驱动MOSFET阵列 4.98A 25mΩ SOP-8
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- 描述
- 5HB06N8 是一款互补 H 桥驱动功率 MOSFET,在单个 SO8 封装内集成 2 个 N 沟道 + 2 个 P 沟道 先进功率 MOSFET。N 沟道 VDSS = 60V,P 沟道 VDSS = -60V,支持 4.5V 低压栅极驱动即可获得低导通电阻(N 沟道 45mΩ@VGS=4.5V,P 沟道 75mΩ@VGS=-4.5V) 。器件采用 13 英寸卷盘、12mm 编带包装,每卷 2500 颗,丝印 "WFS",专为直流电机控制、DC-AC 逆变器等 H 桥拓扑设计 。
- 品牌名称
- MASPOWER(麦思浦)
- 商品型号
- 5HB06N8
- 商品编号
- C55827304
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.254克(g)
商品参数
参数完善中
- 47*32*38cm-2mm
- 30cm-0.14kg
- 3pas-mzz
- 22cm*0.6cm-b
- 30mm*5m*3mm
- 10cm*20m-y
- BMDP252012R24M00
- BMDP252012R47M00
- BMDP252012R68M00
- BMDP252012R82M00
- BMDP2520121R0M00
- BMDP2520121R5M00
- BMDP2520122R2M00
- BMDP2520123R3M00
- BMDP2520124R7M00
- BMDP2520126R8M00
- BTC-SJK182BTR
- HPLA-201610-R22-M
- HPLA-201610-R33-M
- HPLA-201610-R47-M
- HPLA-201610-R68-M



