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MS5P50HGD0

MS5P50HGD0 P 沟道 MOSFET -500V -5A Rds (on) 4Ω TO‑252 贴片功率场效应管

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描述
MS5P50HGD0  P 沟道贴片 MOSFET,TO‑252 封装,低栅极电荷设计,开关速度快,100% 雪崩测试,dv/dt 耐受能力达‑4.5V/ns,适用于功率开关、硬开关高频电路、UPS 电源等负压高压贴片应用。
商品型号
MS5P50HGD0
商品编号
C55827300
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.518克(g)

商品参数

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参数完善中

数据手册PDF