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SI7415DN-T1-E3
1个P沟道 耐压:60V 电流:5.7A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 快速开关。应用：负载开关。 半桥电机驱动器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7415DN-T1-E3
- 商品编号
- C5263738
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.17克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V,5.7A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
这款功率MOSFET采用意法半导体（STMicroelectronics）独特的“单特征尺寸™”条形工艺，是该工艺的最新成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 电流受封装限制
- 标准阈值驱动
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 开关应用
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