温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7415DN-T1-E3

1个P沟道耐压:60V 电流:5.7A

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 特性：TrenchFET功率MOSFET。快速开关。应用：负载开关。半桥电机驱动器
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7415DN-T1-E3
商品编号: C5263738
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.17克(g)

商品参数

商品概述

P沟道60 V(D-S)MOSFET,PowerPAK 1212-8单管封装。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品,采用相同的封装技术,可最大化芯片面积。芯片贴装焊盘底部外露,为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径,将PowerPAK SO-8的优势融入更小的封装中,具备相同的热性能水平。其占位面积与TSOP-6相当,比标准TSSOP-8小40%以上,芯片容量是标准TSOP-6的两倍多,热性能比SO-8好一个数量级,比TSSOP-8好20倍,能充分利用任何PC板散热器的能力,与TSSOP-8相比,可降低结温,使芯片效率提高约20%。单管和双管PowerPAK 1212-8与单管和双管PowerPAK SO-8采用相同的引脚排列,1.05 mm的低矮高度使其适用于空间受限的应用。

商品特性

-沟槽式功率MOSFET-快速开关-符合RoHS标准且无卤

应用领域

-负载开关-半桥电机驱动器-高压非同步降压转换器

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	5.7A
	导通电阻(RDS(on))	65mΩ@10V

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	3.8W
	阈值电压(Vgs(th))	1V
	栅极电荷量(Qg)	15nC@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	P沟道