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U3213E
降压型 2.5A 2V~200V
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- 描述
- U3213E是一款高性能低成本PWM控制功率器,适用于离线式小功率降压型应用场合。集成5A 200V MOSFET,支持降压和升降压拓扑,内置多模式控制技术,具有高耐压MOSFET和完备的保护功能。
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3213E
- 商品编号
- C5252718
- 商品封装
- ESOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DC-DC电源芯片 | |
| 功能类型 | 降压型 | |
| 工作电压 | 2V~200V | |
| 输出电压 | 14.3V | |
| 输出电流 | 2.5A | |
| 开关频率 | 60kHz | |
| 工作温度 | -40℃~+140℃ |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 同步整流 | 否 | |
| 输出通道数 | 1 | |
| 拓扑结构 | 降压式；降压-升压式 | |
| 静态电流(Iq) | 200uA | |
| 开关管(内置/外置) | 内置 | |
| 输出类型 | 固定 | |
| 功能特性 | 轻载高效模式；逐波限流；过流保护 |
商品概述
U3213E是一款高性能、低成本的PWM控制功率开关，适用于离线式小功率降压型应用。该器件外围电路简单，所需元件数量少。其内部集成了高压启动模块和高耐压MOSFET，有助于提升系统的浪涌耐受能力。与传统的PWM功率开关不同，U3213E内部没有固定的时钟来驱动MOSFET，其系统开关频率可根据负载变化自动调节。芯片采用多模式PWM控制技术，有效简化了外围电路设计，改善了线性调整率与负载调整率，并消除了系统工作中的可闻噪声。此外，芯片内部的峰值电流检测阈值可根据实际负载情况自动调节，从而有效降低空载下的待机功耗。U3213E集成了完备的、具备自恢复功能的保护特性，包括VDD欠压保护、逐周期电流限制、输出过压保护、过热保护、过载保护以及VDD过压保护等。该系列产品支持离线式非隔离降压和升降压拓扑电路，适用于小家电电源和线性电源替代等场合，具有输出精度高和外围成本低的特点。其静态工作电流典型值为200uA，降低了对VDD电容容量的要求，并有助于提高系统效率。芯片内置200V高压启动单元和超低待机功耗设计（低于50mW）。它采用逐周期峰值电流限制和前沿消隐（约350ns）技术。通过结合调幅控制和调频控制的多模式工作，可在不同负载条件下优化效率并降低待机损耗。芯片内部集成有典型值为4ms的软启动电路。保护功能包括输出过压保护、过载保护/短路保护、异常过流保护以及过热保护（结温超过150~℃时触发）。此外，U3213E还集成了快速动态响应功能，以减少负载切换时的输出电压跌落。
商品特性
- 集成5A 200V MOSFET
- 集成200V高压启动电路
- 多模式控制，工作无噪声
- 支持降压和升降压拓扑
- 默认14.3V输出（FB引脚悬空）
- 待机功耗低于50mW
- 良好的线性调整率和负载调整率
- 集成软启动电路
- 内部保护功能：过载保护、逐周期电流限制、输出过压保护、VDD过压、欠压和电压箝位保护
应用领域
- 电信90V电源系统
- 以太网POE
- 工业控制
- 逆变器系统