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HSWA2-63DR+

100MHz至6.0GHz高隔离度吸收式射频开关

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描述: Mini-Circuits的HSWA2-63DR+是一款MMICSPDT吸收式射频开关，内置驱动器，设计用于100MHz至6.0GHz的宽带操作。该型号提供优异的隔离度、快速切换速度和高线性度，采用4x4mm20引脚MCLP封装。
品牌名称: Mini-Circuits
商品型号: HSWA2-63DR+
商品编号: C5252706
商品封装: QFN-20
包装方式: 编带
商品毛重: 0.12克(g)

商品参数

商品概述

MMIC单刀双掷（SPDT）吸收式开关，内置驱动器，专为100 MHz至6.0 GHz的宽带操作而设计，支持许多需要在宽频率范围内实现高性能的应用。该型号采用小巧的4x4mm 20引脚MCLP封装，具备出色的隔离度、快速的开关速度和高线性度。采用独特的硅基CMOS工艺制造，兼具砷化镓（GaAs）的性能和传统CMOS器件的优势。提供高水平的静电放电（ESD）保护和出色的重复性。

商品特性

高隔离度，在1.0 GHz时为69 dB
低插入损耗，在1 GHz时典型值为0.95 dB
高输入三阶交调截点（IP3），+65 dBm
快速开关，典型值为300 ns
尺寸小巧，4x4mm
抗闩锁
单电源电压，+2.7V至+5.5V
人体模型（HBM）：符合MIL-STD-883方法3015的2类（通过2000V测试）
湿度敏感度：符合IPC/JEDEC J-STD-020D的MSL3级

应用领域

测试与测量
开关矩阵

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	属性	参数值
	商品目录	射频开关
	电路结构	单刀双掷
	频率	100MHz~6GHz
	隔离度	71dB

	属性	参数值
	插入损耗	0.95dB
	P1dB	35dBm
	工作电压	2.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+105℃