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B20N15D
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 65W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.25nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AP65SA145系列采用创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可广泛应用于各种电源领域。
商品特性
- 100%栅极电阻（Rg）非钳位感性开关（UIS）测试
- 低反向恢复时间（trr）/反向恢复电荷（Qrr）
- 驱动要求简单
- 符合RoHS标准且无卤
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