SD3302
时钟芯片SD3302
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- 描述
- 时钟芯片/RTC/实时时钟 IIC接口,低功耗管脚兼容1302,内置70字节寄存器,32.768HZ方波输出,具备充电功能及电池电压测量功能
- 品牌名称
- WAVE(兴威帆电子)
- 商品型号
- SD3302
- 商品编号
- C5250101
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 实时时钟(RTC) | |
| 接口类型 | I2C | |
| 工作电压 | 2.7V~5.5V | |
| 工作电流 | 800nA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 晶振 | 内置 | |
| 闹钟输出 | 有 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 静态电流(Iq) | 0.8uA |
商品概述
SD3302是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、电池电量寄存器、70字节的用户SRAM寄存器及8字节的ID码寄存器)。 SD3302内置谐振电容及数字温度补偿,用户可以不用顾虑因外接谐振电容等所带来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题,实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、高可靠计时功能。 SD3302内置定时/报警中断输出脚,报警中断时间最长可设至100年。 SD3302具有一个后备电池输入脚VBAT,内部的充电电路可对外接的充电电池进行智能充电,也可对电池电量进行检测和欠压报警指示。 SD3302内置8字节的ID,每一颗芯片具备唯一的身份识别码。 SD3302软件兼容SD2068、SD3068,SD3302管脚兼容1302。
商品特性
- 低功耗:0.8μA典型值(VBAT = 3.0V,Ta = 25°C)
- 工作电压:2.7V~5.5V,工作温度为 -40°C~+85°C
- 标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)
- 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器
- 闰年自动调整功能(从2000年~2099年)
- 可选择12/24小时制式
- 内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器,共有96种组合报警方式,并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式,报警时间最长可设至100年
- 周期性频率中断输出:从4096Hz~1/16Hz~1秒共十四种方波脉冲
- 自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟),最小定时为244us,最长定时可到31年,通过计算可获得较精确的毫秒级定时值
- 5种中断均可选择从INT脚输出,并具有4个中断标志位
- 内置70字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据
- 内置8bit转换结果的数字温度传感器,为了节省电池电量消耗,设为VDD模式下60S间隔测温一次,电池模式600S间隔测温一次
- 内置谐振电容,芯片内部通过高精度补偿方法,实现在宽温范围内较高精度的计时功能
- 具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT,其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电,内置的充电限流电阻可位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种
- 内置电池电压检测功能,可读取当前电池电压值(三位有效数),设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断
- 芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且Vpp小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电;当VDD大于VBAT或Vpp大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。(内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF = 0,VBAT模式时PMF = 1)
- 内置8字节的ID码,芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码
- 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题
- 内置三个时钟数据写保护位,避免对数据的误写操作,可更好地保护数据
- 内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能(BATII = 0,VBAT模式下禁止IIC通信;BATIIC = 1,VBAT模式下允许IIC通信。上电默认值BATII = 0),从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量,也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作,进一步提高时钟芯片的可靠性
- 内置上电指示位RTCF,当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1
- 内置电池电压欠压指示位BLF,当电池电压低于2.2V时BLF位置1
- 内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1
- 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰
- CMOS工艺
- 封装形式:SOP8/MSOP8
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个2500个/圆盘
总价金额:
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