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CS100N03A4-G
硅 N沟道 功率 MOSFET
- 描述
- CS100N03 A4-G是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和PWM应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS100N03A4-G
- 商品编号
- C5250152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 77.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.442nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CS100N03 A4-G是一款采用硅材料的N沟道增强型垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(VDMOSFET),采用高密度沟槽技术制造,可降低传导损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。该器件适用于负载开关和脉宽调制(PWM)应用。其封装形式为TO - 252,符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻(Rdson ≤ 4.5 mΩ)
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 无卤
应用领域
-适配器和充电器的电源开关电路。
- CA55-B6R3M107TE070
- 5-1375582-5
- UWTH1D48QB-100WHR3
- KLDX-0202-A
- FTSH-105-01-F-DV-K-P-TR
- IF1505LS-1WR3
- XRCGB24M000F2P91R0
- 61201421621
- 1513634-1
- CAM-M8Q-0
- LQW18AN9N5D0ZD
- SST-20-WCS-B120-L4651
- CLVBA-FKA-CAEDH8BBB7A363
- AXK6S24447YG
- ACDA03-41CGKWA-F01
- MAX20406AFOA/VY+
- MC3416-P
- URA4815YMD-15WR3
- SKY85747-11
- 824014885
- 620304124022