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CS100N03A4-G
硅 N沟道 功率 MOSFET
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- 描述
- CS100N03 A4-G是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOS场效应晶体管，该技术可降低传导损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和PWM应用。其封装形式为TO - 252，符合RoHS标准
- 品牌名称
- CRMICRO(华润微)
- 商品型号
- CS100N03A4-G
- 商品编号
- C5250152
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.50388克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,19A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 77.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 48nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.442nF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
优惠活动
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