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BC847BLP4-7B
NPN 100mA 45V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 45V。 高集电极电流：IC = 100mA。 功耗：PD = 1000mW。 封装尺寸：0.60mm²，比SOT23小13倍。 封装高度：0.4mm，可减少板外轮廓。 互补PNP类型：BC857BLP4。 完全无铅，完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 该产品符合JEDEC标准（如AEC-Q中引用），具有高可靠性。 有符合汽车标准的产品（单独的数据手册中提供）
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- BC847BLP4-7B
- 商品编号
- C5248612
- 商品封装
- DFN-3(1x0.6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.013333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 45V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 直流电流增益(hFE) | 450 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 100MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 15nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> 45 V
- 集电极电流（IC）= 100 mA，高集电极电流
- 功率耗散（PD）= 1000 mW
- 封装占位面积为 0.60 mm²，比 SOT23 小 13 倍
- 封装高度 0.4 mm，最大限度降低板外轮廓
- 互补 PNP 型：BC857BLP4
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 该器件符合 JEDEC 标准（如 AEC - Q 中参考），具备高可靠性
- 符合汽车应用标准的器件详见单独的数据手册（BC847BLP4Q）