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2N7002K
1个N沟道 耐压:60V 电流:340mA
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- 描述
- 特性：高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(on)。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 具备高饱和电流能力。 ESD保护高达2KV
- 品牌名称
- LGE(鲁光)
- 商品型号
- 2N7002K
- 商品编号
- C5247922
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 340mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻（R_DS(ON)）降至最低，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效率电源管理应用。
商品特性
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关（UIS）测试 — 确保终端应用更可靠、更耐用
- 低导通电阻（RDS(ON)） — 确保导通损耗降至最低
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑。“绿色”器件
应用领域
-无线充电-DC-DC转换器-电源管理