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DXTN58100CFDB-7
NPN,100V,4A,DFN2020-3
- 描述
- 特性：BVCEO > 100V。 hFE指定高达4A，以保持高电流增益。 低轮廓0.6mm高封装，适用于薄型应用。 完全无铅且完全符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 本产品符合JEDEC标准，具有高可靠性。应用：DC-DC转换器。 充电电路
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTN58100CFDB-7
- 商品编号
- C5245639
- 商品封装
- DFN-3(2x2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030954克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 4A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 直流电流增益(hFE) | 350 | |
| 特征频率(fT) | 150MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 260mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |