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FZT753
高性能晶体管 PNP 电流:2A 电压:100V
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- 描述
- 特性：BVCEO > -100V。 IC = -2A High Continuous Current。 ICM = -6A Peak Pulse Current。 低饱和电压 VCE(sat) < -300mV @ -1A。 互补NPN类型：FZT653。 无铅涂层，符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，具有高可靠性。 具备PPAP能力
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT753
- 商品编号
- C5245654
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 直流电流增益(hFE) | 55@500mA,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
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