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FZT853
NPN 电流:6A 电压:100V
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- 描述
- 特性：BVCEO > 100V。 IC = 6A，高连续集电极电流。 ICM = 10A，峰值脉冲电流。 低饱和电压，VCE(SAT) < 150mV @ 2A。 RCE(SAT) = 50mΩ，低等效导通电阻。 hFE指定至10A，高增益保持。 互补PNP类型：FZT953。 无铅涂层；符合RoHS标准。 无卤素和锑，“绿色”器件。 符合AEC-Q101标准，高可靠性
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- FZT853
- 商品编号
- C5245658
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.234克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 6A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 直流电流增益(hFE) | 100@2A,2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 130MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 10nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
优惠活动
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