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kia50n03-VB
kia50n03-VB
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，设计用于各种功率控制和驱动应用。采用Trench工艺，适用于各种功率控制和驱动应用，包括电源模块、马达驱动模块、照明控制模块等领域TO252；N—Channel沟道,30V；80A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=±20V；Vth=1~2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- kia50n03-VB
- 商品编号
- C5240546
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.42克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5mΩ@10V,38.8A | |
| 功率(Pd) | 3.75W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 31.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.201nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 270pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |