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CEDM7001 TR PBFREE
1个N沟道 耐压:20V 电流:100mA
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- 描述
- CENTRAL SEMICONDUCTOR公司的CEDM7001是一款N沟道增强型硅MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻rDS(ON)和低阈值电压的特点。
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CEDM7001 TR PBFREE
- 商品编号
- C5240483
- 商品封装
- SOT-883L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 100mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 570pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品特性
- 功耗100mW
- 封装高度低至0.4mm
- 低导通电阻rDS(ON)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型无引脚表面贴装封装
应用领域
- 负载/电源开关
- DC - DC转换器
- 电池供电的便携式设备