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CMLDM7002AG TR PBFREE
2个N沟道 耐压:60V 电流:280mA
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- 描述
- 这些是双N沟道增强型MOSFET，采用N沟道DMOS工艺制造，适用于高速脉冲放大器和驱动器应用。有LSA引脚配置和日本引脚配置两种类型，具有低rDS(ON)和低VDS(ON)的特点。
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM7002AG TR PBFREE
- 商品编号
- C5240490
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 590pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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