CMLDM7002AG TR PBFREE
2个N沟道 耐压:60V 电流:280mA
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- 描述
- 这些是双N沟道增强型MOSFET,采用N沟道DMOS工艺制造,适用于高速脉冲放大器和驱动器应用。有LSA引脚配置和日本引脚配置两种类型,具有低rDS(ON)和低VDS(ON)的特点。
- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM7002AG TR PBFREE
- 商品编号
- C5240490
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 280mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 590pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些CENTRAL SEMICONDUCTOR器件是双N沟道增强型MOSFET,采用N沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。CMLDM7002A采用美国引脚排列配置,而CMLDM7002AJ采用日本引脚排列配置。这些器件具有低导通电阻rDS(ON)和低导通电压VDS(ON)。
商品特性
- 符合RoHS指令2002/95/EC
- CMLDM8120G TR PBFREE
- CMLT5087E TR PBFREE
- CMLT5088E TR PBFREE
- CMOZ1L8 TR PBFREE
- CMPD2838E TR PBFREE
- CMPSH-3E TR PBFREE
- CMPZ5242B TR PBFREE
- CMR1-02 TR13 PBFREE
- CMR1U-13M TR13 PBFREE
- CMUT2907A TR PBFREE
- CMXZ39VTO TR PBFREE
- CMZ5945B TR13 PBFREE
- CTLSH01-30L TR PBFREE
- CTLSH10-100L TR13 PBFREE
- MPSA77 APM PBFREE
- BC849C
- X1S1474KT1A5265190100EV0
- X1K1104KQ135180160100EV0
- X1R1224KT1A5260230130EV0
- X1S1823KQ135180120060EV0
- X1R1474KV1A5315220130EV0



