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CMLDM8120G TR PBFREE
1个P沟道 耐压:20V 电流:860mA
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- 品牌名称
- Central(中环)
- 商品型号
- CMLDM8120G TR PBFREE
- 商品编号
- C5240491
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.023克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 860mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 450mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.56nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 200pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
商品概述
这些是增强型P沟道MOSFET,采用P沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。该MOSFET具有低导通电阻rDS(on)和低阈值电压。
商品特性
- 低导通电阻rDS(on)
- 低阈值电压
- 逻辑电平兼容
- 小型SOT - 563封装
应用领域
- 负载/电源开关
- 电源转换电路
- 电池供电的便携式设备
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