AT25256B-SSPDGV-T

SPI 串行 EEPROM

描述: AT25256B提供256Kbit的串行电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)，组织为32,768个8位字。该设备适用于许多工业和商业应用，其中低功耗和低电压操作至关重要。该设备可在节省空间的8引脚SOIC、8引脚TSSOP、8垫UDFN和8球VFBGA封装中使用。所有封装均在1.8V至5.5V范围内工作。
品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: AT25256B-SSPDGV-T
商品编号: C5229185
商品封装: SOIC-8-150mil
包装方式: 编带
商品毛重: 0.169克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；内置写使能锁存器(WEL)
	工作电压	1.8V~5.5V
	工作温度	-40℃~+85℃
	工作电流	9mA
	待机电流	2uA
	读取访问时间(tA)	-

商品概述

AT25128B/256B 提供 131,072/262,144 位串行电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。该器件针对低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用进行了优化，提供节省空间的 JEDEC SOIC、TSSOP、UDFN 和 VFBGA 封装。它通过片选引脚（CS）使能，并通过由串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）组成的三线接口访问。所有编程周期均为自定时，写入前无需单独的擦除周期。通过将状态寄存器编程为四种写保护块之一来启用块写保护，提供单独的程序使能和程序禁用指令以提供额外数据保护，通过 WP 引脚提供硬件数据保护，HOLD 引脚可用于暂停串行通信而不复位串行序列。

商品特性

串行外设接口（SPI）兼容
支持 SPI 模式 0（0,0）和模式 3（1,1）
低电压和标准电压操作：VCC = 1.8V 至 5.5V
20MHz 时钟速率（5V）
64 字节页模式和字节写操作
块写保护
保护 1/4、1/2 或整个阵列
写保护（WP）引脚和写禁用指令用于硬件和软件数据保护
自定时写周期（最大 5ms）
高可靠性
耐久性：1,000,000 次写周期
数据保留：100 年

应用领域

低功耗和低电压操作至关重要的工业和商业应用
直接与 6800 系列微控制器的同步串行外设接口（SPI）连接

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	SPI
	存储容量	256Kbit
	时钟频率(fc)	20MHz
	写周期时间(Tw)	5ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	100万次