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STP3N150F
耐压:1500V 电流:3A
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- 描述
- 特性：3A，1500V。 低导通电阻：典型值为50Ω（VGS = 10V，ID = 1.5A）。 低栅极电荷：典型值为27.5nC。 低电容：典型值为2.4pF。 快速开关。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Tokmas(托克马斯)
- 商品型号
- STP3N150F
- 商品编号
- C5224555
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.5kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.938nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 104pF |
商品概述
ESN4485是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品ESN4485为无铅产品。
商品特性
- 40V，@VGS = -10V时，RDS(ON)=13mΩ（典型值）
- @VGS = -4.5V时，RDS(ON)=17mΩ（典型值）
- 快速开关
- 高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 雪崩额定
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 便携式/台式PC的电源管理
- DC/DC转换