嘉立创上市
购物车0
LF198H/883引脚图
  • 引脚图
  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

LF198H/883

单片采样保持电路

描述
LF198QML 单片采样保持电路
品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
LF198H/883
商品编号
C5214584
商品封装
TO-99-8​
包装方式
托盘
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录采样/保持放大器
工作电流-
属性参数值
电源纹波抑制比(PSRR)80dB
功能特性逻辑输入电平兼容

商品概述

LF198是一款单片采样保持电路,采用BI-FET技术,可获得高直流精度,信号采集速度快,衰减率低。作为单位增益跟随器工作,直流增益精度典型值为0.002%,采集时间可低至6 μs达到0.01%精度。采用双极性输入级,可实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调节可通过单个引脚完成,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许该器件接入1 MHz运算放大器的反馈环路内,不会产生稳定性问题。输入阻抗为10^10 Ω,允许使用高源阻抗而不会降低精度。输出放大器中将P沟道结型FET与双极型器件结合,使用1 μF保持电容时衰减率可低至5 mV/min。JFET噪声远低于以往设计中使用的MOS器件,不存在高温不稳定性问题。整体设计保证保持模式下输入到输出无馈通,即使输入信号等于电源电压也是如此。逻辑输入为全差分,输入电流低,可直接连接TTL、PMOS和CMOS,差分阈值为1.4V,可在±5V至±18V电源下工作。器件内置有限的ESD保护,存储或操作过程中应将引脚短接或将器件放置在导电泡沫中,防止MOS栅极发生静电损坏。

商品特性

  • 工作电源范围为±5V至±18V
  • 信号采集时间小于10 μs
  • 逻辑输入兼容TTL、PMOS、CMOS
  • 保持电容为0.01 μF时,典型保持步长为0.5 mV
  • 输入偏移低
  • 增益精度为0.002%
  • 保持模式下输出噪声低
  • 保持模式下输入特性不会发生变化
  • 采样或保持模式下电源抑制比高
  • 带宽宽
  • 提供小外形封装、TO-99金属罐封装可供选择