LF198H/883
单片采样保持电路
- 描述
- LF198QML 单片采样保持电路
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- LF198H/883
- 商品编号
- C5214584
- 商品封装
- TO-99-8
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 采样/保持放大器 | |
| 工作电流 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 电源纹波抑制比(PSRR) | 80dB | |
| 功能特性 | 逻辑输入电平兼容 |
商品概述
LF198是一款单片采样保持电路,采用BI-FET技术,可获得高直流精度,信号采集速度快,衰减率低。作为单位增益跟随器工作,直流增益精度典型值为0.002%,采集时间可低至6 μs达到0.01%精度。采用双极性输入级,可实现低偏移电压和宽带宽。输入偏移调节可通过单个引脚完成,不会降低输入偏移漂移。宽带宽允许该器件接入1 MHz运算放大器的反馈环路内,不会产生稳定性问题。输入阻抗为10^10 Ω,允许使用高源阻抗而不会降低精度。输出放大器中将P沟道结型FET与双极型器件结合,使用1 μF保持电容时衰减率可低至5 mV/min。JFET噪声远低于以往设计中使用的MOS器件,不存在高温不稳定性问题。整体设计保证保持模式下输入到输出无馈通,即使输入信号等于电源电压也是如此。逻辑输入为全差分,输入电流低,可直接连接TTL、PMOS和CMOS,差分阈值为1.4V,可在±5V至±18V电源下工作。器件内置有限的ESD保护,存储或操作过程中应将引脚短接或将器件放置在导电泡沫中,防止MOS栅极发生静电损坏。
商品特性
- 工作电源范围为±5V至±18V
- 信号采集时间小于10 μs
- 逻辑输入兼容TTL、PMOS、CMOS
- 保持电容为0.01 μF时,典型保持步长为0.5 mV
- 输入偏移低
- 增益精度为0.002%
- 保持模式下输出噪声低
- 保持模式下输入特性不会发生变化
- 采样或保持模式下电源抑制比高
- 带宽宽
- 提供小外形封装、TO-99金属罐封装可供选择
- LM124AWRQMLV
- INA190A1NDDFREP
- INA190A2NDDFREP
- INA190A3NDDFREP
- INA190A4NDDFREP
- PINA241A2IDDFR
- INA183A1IDBVR
- INA290A3QDCKRQ1
- INA290A4QDCKRQ1
- INA281B4QDBVRQ1
- INA281B5QDBVRQ1
- INA290A4IDCKR
- INA2290A1IDGKR
- INA2290A4IDGKR
- INA190A1QDDFRQ1
- INA190A2QDDFRQ1
- INA190A3QDDFRQ1
- INA190A4QDDFRQ1
- INA190A5QDDFRQ1
- INA186A1QDDFRQ1
- INA186A2QDDFRQ1


