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HYG038N03LR1C2
1个N沟道 耐压:30V 电流:84A
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- 描述
- 特性：30V/84A，RDS(ON) = 3.3mΩ（典型值），VGS = 10V；RDS(ON) = 5.1mΩ（典型值），VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用：负载开关-锂电池保护板
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG038N03LR1C2
- 商品编号
- C5205138
- 商品封装
- PDFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 84A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 53W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.486nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 176pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
CMF16N65采用先进的平面条纹DMOS技术，可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能，并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 充电器-适配器-电源
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