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HYG038N03LR1C2实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG038N03LR1C2

1个N沟道 耐压:30V 电流:84A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:30V/84A,RDS(ON) = 3.3mΩ(典型值),VGS = 10V;RDS(ON) = 5.1mΩ(典型值),VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有无卤器件可选。应用:负载开关-锂电池保护板
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG038N03LR1C2
商品编号
C5205138
商品封装
PDFN-8(5x6)​
包装方式
编带
商品毛重
0.21克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)84A
导通电阻(RDS(on))3.3mΩ@10V,20A
耗散功率(Pd)53W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.7V
栅极电荷量(Qg)35.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.486nF
反向传输电容(Crss)176pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

CMF16N65采用先进的平面条纹DMOS技术,可提供出色的RDS(ON)和卓越的开关性能,并能在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的dv/dt能力
  • 符合RoHS标准

应用领域

  • 充电器-适配器-电源

数据手册PDF