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PSMN4R4-80BS-JSM
PSMN4R4-80BS-JSM
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：100A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.5mR @20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- PSMN4R4-80BS-JSM
- 商品编号
- C55106994
- 商品封装
- TO-263
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.634克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 280W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 输入电容(Ciss) | 7.315nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.656nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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- DDR3 8GB 1600Mhz 1.5V
- PF40281B2-1000C-A9H