- 引脚图
- 焊盘图
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DMTH6002LPS-13-JSM
DMTH6002LPS-13-JSM
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：210A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.7mR @20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMTH6002LPS-13-JSM
- 商品编号
- C55107003
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 210A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 198W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 85nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.99nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.75nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
- NC7SZ08P5X-JSM
- MC74HC1G08DFT2G-JSM
- TC7SZ08FU-JSM
- IRSM505-025PATR-JSM
- IRSM515-025PATR-JSM
- IRSM505-055PATR-JSM
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- IRSM505-065PATR-JSM
- IRSM515-065PATR-JSM
- BVH-M-R0005-3.0
- DDR3 8GB 1600Mhz 1.5V
- PF40281B2-1000C-A9H
- PMEG4005EJ-QX-CN
- TN-B020
- D1-001-Y4
- D1-002-Y4
- D1-003-Y4
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- D1-005-Y4
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- D1-008-Y4