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AONS77401-JSM
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- 描述
- 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：260A JSMSEMI导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.75mR @20A,10V
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AONS77401-JSM
- 商品编号
- C55106997
- 商品封装
- PDFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4669克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 260A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 125nC | |
| 输入电容(Ciss) | 6.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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- BVH-M-R0005-3.0
- DDR3 8GB 1600Mhz 1.5V
- PF40281B2-1000C-A9H
- PMEG4005EJ-QX-CN
- TN-B020
- D1-001-Y4