MGD3160AM515EKR2

Advanced Single-Channel High-Voltage Isolated Automotive Gate Driver for SiC MOSFETs/IGBTs

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描述: 是一款用于IGBT和SiC功率器件的单通道栅极驱动器。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨栅极电压控制。电流和温度感应可在故障期间将IGBT/SiC的应力降至最低。精确且可配置的欠压锁定（UVLO）可提供保护，同时确保足够的栅极驱动电压裕量。能够自主管理严重故障，并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测试、控制和保护功能，适用于高可靠性系统（ASIC C/D）的设计。符合汽车应用的严格要求，并完全符合AEC-Q100 1级标准。
品牌名称: NXP(恩智浦)
商品型号: MGD3160AM515EKR2
商品编号: C5191560
商品封装: SOT-1762-1
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电压	9.3V~25V
	特性	欠压保护(UVP)；过流保护(OCP)；过压保护(OVP)；过热保护(OPT)
	工作温度	-40℃~+150℃
	输入高电平(VIH)	3.395V~3.605V
	静态电流(Iq)	5mA