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MGD3160AM515EK实物图
  • MGD3160AM515EK商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MGD3160AM515EK

Advanced Single-Channel High-Voltage Isolated Automotive Gate Driver for SiC MOSFETs/IGBTs

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描述
是一款先进的单通道门极驱动器,适用于IGBT和SiC功率器件。集成的电流隔离和低导通电阻驱动晶体管可提供高充放电电流、低动态饱和电压和轨到轨门极电压控制。电流和温度感应可在故障期间最大限度地降低IGBT/SiC的应力。精确且可配置的欠压锁定(UVLO)在确保足够的栅极驱动电压裕量的同时提供保护。能够自主管理严重故障,并通过INTB和/或INTA引脚以及SPI接口报告故障和状态。能够直接驱动大多数IGBT和SiC MOSFET的栅极。包含自测、控制和保护功能,适用于高可靠性系统(ASIC C/D)的设计。符合汽车应用的严格要求,并完全通过AEC-Q100 1级认证。
品牌名称
NXP(恩智浦)
商品型号
MGD3160AM515EK
商品编号
C5191559
商品封装
BSSOP-32-300mil​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录栅极驱动芯片
负载类型MOSFET;IGBT
驱动通道数1
灌电流(IOL)15A
拉电流(IOH)15A
工作电压4.75V~5.25V
属性参数值
特性欠压保护(UVP);过压保护(OVP)
工作温度-40℃~+150℃
输入高电平(VIH)3.5V
输入低电平(VIL)1.5V
静态电流(Iq)8mA