- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
XM10NP04S
增强型MOSFET 1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:10A
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- 描述
- 1个N沟道+1个P沟道双MOS管，30V/10A加-30V/-9A
- 品牌名称
- XUMAO(旭茂微)
- 商品型号
- XM10NP04S
- 商品编号
- C55062356
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V；40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A；9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V；32mΩ@10V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V；1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC；13nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF；610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF；52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 132pF；88pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V；±20V |