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XM18N65B
增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:650V 电流:18A
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- 描述
- VDS=650V,ID=18A，RDS(on):390mΩ(Typ)@VGS=10V
- 品牌名称
- XUMAO(旭茂微)
- 商品型号
- XM18N65B
- 商品编号
- C55062366
- 商品封装
- TO-263-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.1615克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 390mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 225W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |