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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 11mΩ@10V,40A | |
| 功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 108nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.2nF@30V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 250pF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM405D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:22 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的 RDS(ON):0.0110 Ω(典型值)@V = 10V
- 100%雪崩测试
应用领域
- 主板/显卡核心电压
- 开关电源二次同步整流器
- 负载点应用
- 无刷直流电机驱动器