温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 82V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 147W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 115nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.053nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 145pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 442pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±25V |
商品概述
100N08 是一款专为大电流开关应用设计的 N 沟道 MOS 场效应晶体管。其坚固的 EAS 能力和超低的 RDS(ON) 适用于 PWM、负载开关,尤其适用于电动自行车控制器应用。
商品特性
- VDS = 82 V;在 VGS = 10 V 时,ID = 100 A;在 VGS = 10 V 时,RDS(ON) < 7.8 mΩ
- 专为电动自行车控制器应用设计
- 超低导通电阻
- 高 UIS 且 UIS 100% 测试
应用领域
- 64V 电动自行车控制器应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
- AO3401
- BFCN-3600+
- KC2-19+
- TA0718A
- EASV1003W0
- CLMVC-FKA-CL1D1L71BB7C3C3
- S-8211CCU-I6T1U
- XT25F128FSSIGU-W
- MX2EDGK-5.08-02P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-03P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-04P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-05P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-06P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-07P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-08P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-09P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-10P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-11P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-12P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-13P-GN01-Cu-Y-A
- MX2EDGK-5.08-14P-GN01-Cu-Y-A