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AO3401
P沟道,电流:-4.2A,耐压:-30V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- AO3401
- 商品编号
- C5187811
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV | |
| 输入电容(Ciss) | 954pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM312M1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 采用高密集单元设计,实现极低的RDS(ON)。
- 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器
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