商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V,4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.08nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
-低热阻-快速开关-高输入阻抗-符合RoHS规范-低热阻-快速开关-高输入阻抗-符合RoHS规范
应用领域
-电子镇流器-电子变压器-开关电源-电子镇流器-电子变压器-开关电源

