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HL2300
N沟道,电流:4A,耐压:20V
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HL2300
- 商品编号
- C5187682
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.06nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款功率MOSFET采用东微半导体（Truesemi）先进的平面条形DMOS技术制造。这项最新技术经过专门设计，可将导通电阻降至最低，并具备高抗雪崩特性。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 20V、4A,在VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 55 mΩ
- 20V、3.4A,在VGS = 2.5 V时,RDS(ON) = 70 mΩ
- 20V、2.8A,在VGS = 1.8 V时,RDS(ON) = 90 mΩ
- 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力