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HU4N65
HU4N65
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- 品牌名称
- HL(豪林)
- 商品型号
- HU4N65
- 商品编号
- C5187656
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.686克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 2.3Ω@10V,2A | |
| 功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 13.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 680pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 10.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM402D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，提供极低的漏源导通电阻。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 创新设计
- 卓越的雪崩耐受技术
- 坚固的栅极氧化层技术
- 极低的本征电容
- 出色的开关特性
- 无与伦比的栅极电荷:10.5 nC(典型值)
- 扩展的安全工作区
- 更低的RDS(ON):2.3 Ω(典型值)@VGS = 10V
- 100% 雪崩测试
应用领域
-主板/显卡核心电压-开关电源二次同步整流器-负载点应用-无刷直流电机驱动器