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BSS670S2LH6327
1个N沟道 耐压:55V 电流:0.54A
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- 描述
- 特性：N沟道。 增强模式。 逻辑电平。 雪崩额定。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据AEC Q101认证。 根据IEC61249-2-21标准无卤
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- BSS670S2LH6327
- 商品编号
- C5185450
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 540mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 650mΩ@10V,270mA | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 75pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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