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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AP6P025M

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
AP6P025系列采用创新设计和硅工艺技术,以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种高效器件,可广泛应用于各种电源领域。SO-8封装在所有商业和工业表面贴装应用中广受欢迎,适用于DC/DC转换器等低压应用
品牌名称
APEC(富鼎)
商品型号
AP6P025M
商品编号
C5185131
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.24克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)7.3A
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,7A
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V
栅极电荷量(Qg)54.4nC
输入电容(Ciss)6.4nF
反向传输电容(Crss)170pF
工作温度-55℃~+150℃

商品概述

AGM310MAP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),以最小化传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA Vcore
  • 开关电源二次同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF