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AP4N2R6H
N沟道增强型功率MOSFET
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- 描述
- AAPP446N024R 6s系列采用先进的功率创新设计和硅工艺技术，以实现尽可能低的导通电阻和快速开关性能。它为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于广泛的电源应用。Industry - 252封装广受青睐
- 品牌名称
- APEC(富鼎)
- 商品型号
- AP4N2R6H
- 商品编号
- C5185133
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@10V,40A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 194nC | |
| 输入电容(Ciss) | 8.16nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AGM310MA将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON)，使传导损耗最小化
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- MB/VGA Vcore
- 开关电源二次侧同步整流器
- 负载点（POL）应用
- 无刷直流（BLDC）电机驱动器
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