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TH58NVG3S0HTA00实物图
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TH58NVG3S0HTA00

TH58NVG3S0HTA00

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品牌名称
KIOXIA(铠侠)
商品型号
TH58NVG3S0HTA00
商品编号
C5182740
商品封装
TFSOP-48-18.4mm​
包装方式
托盘
商品毛重
2.307克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NAND FLASH
存储容量8Gbit
接口类型Parallel
时钟频率(fc)-
工作电压2.7V~3.6V
写周期时间(Tw)25ns
页写入时间(Tpp)25ns
属性参数值
块擦除时间(tBE)2.5ms
数据保留 - TDR(年)-
工作温度0℃~+70℃
待机电流100uA
擦写寿命-
功能特性硬件写保护功能;读缓存功能;ECC纠错功能;软件复位功能;复制回写功能

商品概述

TH58NVG3S0HTA00 是一款单 3.3V 8Gbit(9,126,805,504 位)的 NAND 电可擦除可编程只读存储器(NAND E²PROM),其组织形式为(4096 + 256)字节×64 页×4096 块。该器件有两个 4352 字节的静态寄存器,允许以 4352 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行(256 K 字节 + 16 K 字节:4352 字节×64 页)。TH58NVG3S0HTA00 是一款串行型存储器件,它利用 I/O 引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,使该器件非常适合用于固态文件存储、语音记录、静态相机的图像文件存储以及其他需要高密度非易失性存储器数据存储的系统等应用。

商品特性

  • 读取、复位、自动页编程、自动块擦除、状态读取、页复制、多页编程、多块擦除、多页复制、多页读取
  • 组织模式:模式控制、串行输入/输出、命令控制
  • 有效块数量:最小 4016 块,最大 4096 块
  • 电源:VCC = 2.7V 至 3.6V
  • 访问时间:单元阵列到寄存器最大 25 μs,读取周期时间最小 25 ns(CL = 50pF)
  • 编程/擦除时间:自动页编程典型值为 300 μs/页,自动块擦除典型值为 2.5 ms/块
  • 工作电流
  • 封装:TSOP I 48 - P - 1220 - 0.50(重量:典型值 0.54 g)
  • 每 512 字节需要 8 位 ECC

应用领域

  • 固态文件存储
  • 语音记录
  • 静态相机图像文件存储

数据手册PDF