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CJB130SN10
1个N沟道 耐压:100V 电流:130A
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- 描述
- 采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻 (RDS(ON)) 和低栅极电荷，可用于多种应用。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJB130SN10
- 商品编号
- C5182734
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.10475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 821pF |
商品概述
CJB130SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于各种应用。
商品特性
-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷
应用领域
-高效电源-次级同步整流器
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