IS61WV51216EDBLL-10TLI
512KX16高速异步CMOS静态RAM带ECC
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- 描述
- 8-Mbit(512K × 16bit),并行接口,工作电压:2.4V to 3.6V
- 品牌名称
- ISSI(美国芯成)
- 商品型号
- IS61WV51216EDBLL-10TLI
- 商品编号
- C57407
- 商品封装
- TSOPII-44-10.2mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.5克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~3.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 读写时间 | 10ns | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | 15mA |
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:8M(512K x 16)
速度:10ns
接口:并联
电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装:44-TSOP2(10.2x18.4)
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:8M(512K x 16)
速度:10ns
接口:并联
电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装:44-TSOP2(10.2x18.4)
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起订量:1 个135个/托盘
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