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IS61WV51216EDBLL-10TLI实物图
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IS61WV51216EDBLL-10TLI

512KX16高速异步CMOS静态RAM带ECC

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
8-Mbit(512K × 16bit),并行接口,工作电压:2.4V to 3.6V
品牌名称
ISSI(美国芯成)
商品型号
IS61WV51216EDBLL-10TLI
商品编号
C57407
商品封装
TSOPII-44-10.2mm​
包装方式
托盘
商品毛重
0.5克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录静态随机存取存储器(SRAM)
存储容量8Mbit
工作电压2.4V~3.6V
属性参数值
读写时间10ns
工作温度-40℃~+85℃
待机电流15mA
格式 - 存储器:RAM
存储器类型:SRAM - 异步
存储容量:8M(512K x 16)
速度:10ns
接口:并联
电压 - 电源:2.4 V ~ 3.6 V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳:44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
供应商器件封装:44-TSOP2(10.2x18.4)

数据手册PDF

优惠活动

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起订量:1 个135个/托盘

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