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CJU50SN10
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- CJU50SN10采用屏蔽栅沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于多种领域。
- 品牌名称
- CJ(江苏长电/长晶)
- 商品型号
- CJU50SN10
- 商品编号
- C5173759
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4914克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 975.3pF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.4pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在将传导损耗降至最低，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS E系列针对其开关特性进行了优化，以实现电磁干扰（EMI）与效率之间的平衡。其设计使电源系统在满足EMI标准的同时达到最高效率。
商品特性
- 低导通电阻RDS(ON)和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和一致性
- 电磁干扰与性能达到平衡
应用领域
- LED照明-充电器-适配器-电视电源-电信电源-服务器电源-太阳能/不间断电源(UPS)